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联电 22nm 制程已就绪,无需更改构架可直接转移

联电(UMC)称,在使用 USB 2.0 测试载具并成功通过硅验证之后,证明了联电 22 纳米工艺的稳健性,正式宣布更先进的 22 纳米制程技术就绪。

联电表示,相较于一般的 USB 2.0 PHY IP,使用联电制程的测试载具所使用面积是全球最小,已展现联电技术的成熟,且新的芯片设计若要采用 22 纳米制程,并无需更改现有的 28 纳米设计架构,客户将可放心地的直接从 28 纳米制程转移到 22 纳米。

联电的 22nm 制程与原本的 28nm 高介电系数 / 金属栅极制程缩减 10%的晶粒面积、拥有更佳的功率效能比,以及强化射频性能等特点。另外也提供了与 28nm 制程技术相容的设计规则和相同的光罩数的 22nm 超低功耗 (22uLP)版本,以及 22nm 超低泄漏 (22uLL)版本。此 22uLP 和 22uLL 所形成的超级组合,可支援 1.0V 至 0.6V 的电压,协助客户在系统单芯片(SoC)设计中同时享有两种技术的优势。

联电已与 ASIC 设计服务商智原在 22 纳米制程平台上合作推出基础元件 IP 支援,为市场上各种半导体应用,包括消费性电子的机上盒、数位电视、监视器、电源或漏电敏感的物联网芯片(附带蓝牙或 WiFi)和需要较长电池寿命可穿戴式产品的理想选择。

目前应用 22ULP/ULL 制程的基础元件 IP 已具备进阶的绕线架构,多样的 IO 元件库包括通用 IO、多重电压 IO、RTC IO、OSC IO 和类比 ESD IO,且存储器编译器还具有双电源轨功能、多重省电模式、和读写辅助功能等特色。

联电知识产权开发与设计支持部总监陈永辉表示:“由于联电致力于提供世界领先的代工专业技术,公司继续推出新的专业工艺产品,以服务于快速增长的 5G,物联网和无线市场。汽车 IC。我们很高兴能为代工客户提供 22nm 工艺,因为我们已竭尽全力确保该技术的竞争性能,面积和易于设计。”

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